20nm 갭 기계식 나노집적소자 세계 최초 개발

우리 학교 전기및전자공학과 윤준보 교수팀과 부설 나노종합팹센터 연구팀이 공동 연구를 통해 세계 최초로 누설전류를 차단한 20nm 갭 기계식 나노집적소자를 개발하는 데 성공했다.


반도체로 만들어진 기존의 나노집적소자는 반도체 특성을 활용해 전기신호의 차폐를 제어한다. 이제까지는 이 과정에서 전류가 누설되어 대량의 에너지가 손실되었다. 이에 윤 교수팀은 나노 전자기계 기술을 적용해 트랜지스터와 같은 구실을 하면서도 누설전류를 원천적으로 차단한 신개념 전자소자인 ‘기계식 나노집적소자'를 개발했다. 이 소자는 저온 공정이 가능하며 기존의 반도체를 만들던 단결정 실리콘보다 훨씬 저렴한 유리 기판이나 휘어지는 플라스틱 기판에서도 전자 스위치 소자를 형성할 수 있다.
 

윤 교수는 “정부와 기업의 관심이 부족한 상황에서 이번 연구결과를 얻기까지 어려움이 많았다”라며 “연구결과를 다양한 산업체에 제공해 우리나라가 세계 차세대 반도체 시장에서 유리한 입지를 확보하는데 기여하고 싶다”라고 포부를 밝혔다. 

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