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임굉수, 박재우 교수팀 투명 메모리 소자 개발
[313호] 2009년 01월 20일 (화) 강재승 기자 gamerkang@kaist.ac.kr

  지난해 12월 3일, 전자전산학부 임굉수, 박재우 교수팀의 차세대 투명 저항변화 메모리(TRRAM) 연구 결과가 미국 응용물리학회지(Applied Physics Letters) 2008년 12월호에 실렸다.
  이번에 개발된 투명 메모리 소자는 USB 형태의 플래시 메모리처럼 전원이 제거되어도 저장된 자료가 지워지지 않는 비휘발성 메모리 소자이다. 투명 유리 또는 투명 플라스틱 기판 위에 투명전극과 투명 산화물 박막 등으로만 구성되어 있어 전체적으로 투명하게 보이며, 기존 CMOS 플래시 메모리 소자보다 제조 공정이 훨씬 간단하다. 임 교수는 “이번 투명 메모리 소자 개발이 기존 실리콘 기반 CMOS 플래시 메모리 시장을 완전히 대체하는 기술은 아니지만, 앞으로 투명전자 시대에 맞춰 가장 기본적인 저장 매체인 메모리 소자 또한 투명하게 만들고자 하는 취지에서 개발했다”라고 밝혔다.

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